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2010-2011年中国半導体パワーデバイス市場調査レポート
レポート情報
- 注文番号： 11174
- 作 成 者： 賽迪顧問（CCID）
- 取扱企業： Fairchild Semiconductor、STMicroelectronics、International Rectifier、On Semiconductor、Texas Instruments、Infineon Technologiesなど
- 価 格： 日本語版 298,000円、中国語版 11,000元、英語版 2,400米ドル
- 支払方法： 銀行振込（日本円）
※ レートは、申込み日の中国人民銀行又は邦銀が公表する為替仲値（TTM）レートに従う。 - 納 期： 日本語版 10営業日後、中国語版 翌営業日、英語版 5営業日後
※ 日中両国の祝祭日を除く営業日。 
目次
- 調査対象
- 主な結論
- 重要な発見
- 一、 2010年世界半導体パワーデバイス市場の概況
１. 市場規模及び成長率
２. 主な特徴
３. 主要国家及び地域
①アメリカ
②ヨーロッパ
③日本
④アジア太平洋地域
- 二、 2010年中国半導体パワーデバイス市場の概況
１. 市場規模及び成長率
２. 主な特徴
①・・・・・
②・・・・・
③・・・・・
３. 市場構造
①製品構造
②地域構造
③ブランド構造
- 三、 2011-2013年中国半導体パワーデバイス市場の発展予測
１. 市場規模
２. 市場構造
①製品構造
②応用構造
- 四、 2011-2013年中国半導体パワーデバイス市場の趨勢
１. 技術趨勢
２. 価格趨勢
３. 販売チャネル趨勢
- 五、 2010年中国半導体パワーデバイス市場のセグメント分析
１. MOSFET
①市場規模及び成長率
②電圧構造
③応用構造
④パッケージ構造
⑤電流構造
⑥機能構造
⑦ブランド構造
２. IGBT
①市場規模及び成長率
②応用構造
③電圧構造
④パッケージ構造
⑤ブランド構造
３. 電源管理IC
①市場規模及び成長率
②製品構造
③応用構造
④ブランド構造
- 六、 2010年中国半導体パワーデバイス市場の競争分析
１. 全体構造
２. 主要メーカーの競争戦略及びSWOT分析
①Fairchild Semiconductor
②Infineon Technologies
③STMicroelectronics
④On Semiconductor
⑤Texas Instruments
- 七、 賽迪顧問（CCID）からの提案
表目次
- 2006-2010年世界半導体パワーデバイス市場規模
- 2006-2010年中国半導体パワーデバイス市場規模
- 2010年中国半導体パワーデバイス市場の製品構造
- 2010年中国半導体パワーデバイス市場の応用構造
- 2010年中国半導体パワーデバイス市場のブランド構造
- 2011-2013年中国半導体パワーデバイス市場規模の予測
- 2011-2013年中国半導体パワーデバイス市場の製品構造の予測
- 2011-2013年中国半導体パワーデバイス市場の製品別成長率の予測
- 2011-2013年中国半導体パワーデバイス市場の応用構造の予測
- 2011-2013年中国半導体パワーデバイス市場の応用別成長率の予測
- 2006-2010年中国MOSFET市場規模（販売量）
- 2006-2010年中国MOSFET市場規模（売上高）
- 2010年中国MOSFET市場の電圧構造（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場の電圧構造（売上高）
- 2010年中国MOSFET市場の応用構造（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場の応用構造（売上高）
- 2010年中国MOSFET市場のパッケージ構造（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場のパッケージ構造（売上高）
- 2010年中国MOSFET市場の電流構造（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場の電流構造（売上高）
- 2010年中国MOSFET市場の機能構造（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場の機能構造（売上高）
- 2010年中国MOSFET市場のブランド構造（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場のブランド構造（売上高）
- 2006-2010年中国IGBT市場規模（販売量）
- 2006-2010年中国IGBT市場規模（売上高）
- 2010年中国IGBT市場の応用構造（販売量）
- 2010年中国IGBT市場の応用構造（売上高）
- 2010年中国IGBT市場の電圧構造（販売量）
- 2010年中国IGBT市場の電圧構造（売上高）
- 2010年中国IGBT市場のパッケージ構造（販売量）
- 2010年中国IGBT市場のパッケージ構造（売上高）
- 2010年中国IGBT市場のブランド構造
- 2006-2010年中国電源管理IC市場の規模及び成長率
- 2010年中国電源管理IC市場の製品別規模及び成長率
- 2010年中国電源管理IC市場の製品構造
- 2010年中国電源管理IC市場の応用別規模及び成長率
- 2010年中国電源管理IC市場の応用構造
- 2010年中国電源管理IC市場のブランド構造
- 中国半導体パワーデバイス市場における主要企業の競争力分析
- 2010年Fairchild Semiconductorの競争力分析
- 2010年Fairchild Semiconductorの競争戦略及びSWOT分析
- 2010年Infineon Technologiesの競争力分析
- 2010年Infineon Technologiesの競争戦略及びSWOT分析
- 2010年STMicroelectronicsの競争力分析
- 2010年STMicroelectronicsの競争戦略及びSWOT分析
- 2010年On Semiconductorの競争力分析
- 2010年On Semiconductorの競争戦略及びSWOT分析
- 2010年Texas Instrumentsの競争力分析
- 2010年Texas Instrumentsの競争戦略及びSWOT分析
図目次
- 2006-2010年世界半導体パワーデバイス市場規模
- 2006-2010年中国半導体パワーデバイス市場規模
- 2010年中国半導体パワーデバイス市場の製品構造
- 2010年中国半導体パワーデバイス市場の応用構造
- 2010年中国半導体パワーデバイス市場のブランド構造
- 2011-2013年中国半導体パワーデバイス市場規模の予測
- 2011-2013年中国半導体パワーデバイス市場の製品構造の予測
- 2011-2013年中国半導体パワーデバイス市場の製品別成長率の予測
- 2011-2013年中国半導体パワーデバイス市場の応用構造の予測
- 2011-2013年中国半導体パワーデバイス市場の応用別成長率の予測
- 2010年中国MOSFET市場の市場規模（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場の市場規模（売上高）
- 2010年中国MOSFET市場の電圧構造（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場の電圧構造（売上高）
- 2010年中国MOSFET市場の応用構造（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場の応用構造（売上高）
- 2010年中国MOSFET市場のパッケージ構造（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場のパッケージ構造（売上高）
- 2010年中国MOSFET市場の電流構造（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場の電流構造（売上高）
- 2010年中国MOSFET市場の機能構造（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場の機能構造（売上高）
- 2010年中国MOSFET市場のブランド構造（販売量）
- 2010年中国MOSFET市場のブランド構造（売上高）
- 2006-2010年中国IGBT市場規模（販売量）
- 2006-2010年中国IGBT市場規模（売上高）
- 2010年中国IGBT市場の応用構造（販売量）
- 2010年中国IGBT市場の応用構造（売上高）
- 2010年中国IGBT市場の電圧構造（販売量）
- 2010年中国IGBT市場の電圧構造（売上高）
- 2010年中国IGBT市場のパッケージ構造（販売量）
- 2010年中国IGBT市場のパッケージ構造（売上高）
- 2010年中国IGBT市場のブランド構造
- 2006-2010年中国電源管理IC市場の規模及び成長率
- 2010年中国電源管理IC市場の製品別規模及び成長率
- 2010年中国電源管理IC市場の製品構造
- 2010年中国電源管理IC市場の応用別規模及び成長率
- 2010年中国電源管理IC市場の応用構造
- 2010年中国電源管理IC市場のブランド構造
- 中国半導体パワーデバイス市場における主要企業の競争力分析
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